2.1 基本方程和场的特性

当电磁场中的源量(电荷或电流)不随时间而变化时,例如,相对于观察者,电荷处于静止状态或以恒定速度运动,且其电荷量不随时间而变化,这时,场中的场量也将不随时间变化而仅是空间坐标的函数。因而麦克斯韦方程组可简化为:
  • 积分形式:
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  • 微分形式:
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  • 电场和磁场没有耦合关系,可以分别进行讨论
  • 此外,如果讨论静电场,那么J=0,没有磁效应(没有磁场产生的源)

2.1.1 静电场的基本方程和性质

基本方程

经过上面的讨论,麦克斯韦方程可以化简为:
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电磁场的有散性

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电磁场的无旋性

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2.2自由空间中的电场

2.2.2自由空间中的 E(r)\vec E(\vec r)

略,就是库伦定律和叠加法

2.2.1&2.2.3自由空间中的位函数 ψ\psi

标量电位函数 ψ(r)\psi(\vec r)

回顾亥姆霍兹定理:任何一个矢量场可以用一个矢量场的旋度和一个标量场的梯度表达
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通过更高级的数学工具完备地解决了原来定性认识的事物

电位与电场力做功之间的关系

静电场中任意两点间的电位差,等于在该两点间移动单位正电荷电场力所作的功
ψPψQ=Wq1=PQEdl\psi_P-\psi_Q=\frac W {q_1}=\int_P^Q\vec E\cdot \mathrm d \vec l

电位的参考点

电位参考点Q确定后,任意场点P处的电位为:
ψP(r)=PQEdl\psi_P(\vec r)=\oint_P^Q\vec E\cdot\mathrm d\vec l
一点处的电位等于该点处电场力做功积分到电位参考点处

电位函数的获得

由电荷分布计算

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由电场强度积分获得

ψP(r)=PQEdl\psi_P(\vec r)=\oint_P^Q\vec E\cdot\mathrm d\vec l

电偶极子远区的电场强度和电位

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均匀带电球体

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2.2.4 电场线和等位面

电场线

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E×dl=0\vec E\times\mathrm d \vec l = 0
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上式就是电场线的微分方程,而该微分方程的解就是电场线的函数关系式。这个函数关系式可以一般性地写为:
Ψ(x,y,z)=const\Psi(x,y,z)=const

等位面(线)

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2.3 导体和电介质

根据媒质在静电场中的特征,可以将其分为导体和电介质(绝缘体)
还是通过电导率 γ\gamma来定义导体和绝缘体的
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2.3.1静电场中导体的特征

大学物理甲Ⅱ的内容静电平衡时导体上的电荷分布

导体内部

静电平衡
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导体表面

  1. 电场强度
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en×E=0\vec e_n\times\vec E=0
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  1. 电荷分布
σ=nD=Dn\sigma=\vec n\cdot\vec D=D_n
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导体表面曲率越大,面电荷分布越集中,电场越强

 
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2.3.2 静电场中的电介质-电介质的极化

  • 极化电荷和自由电荷一起,都是产生电场的源
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极化电荷面密度和体密度的推导

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和自由电荷产生电位的表达式相比较,不难发现一种对应关系:
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所以,我们定义极化电荷面密度、极化电荷体密度:
σP=Pen\sigma_P=\vec P\cdot \vec e_nρP=P\rho_P=-\nabla\cdot\vec P
  1. 对于均匀介质,极化电荷体密度为0
    1. ρP=0\rho_P=0
  1. 极化后整体的极化电荷分布总和为0
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2.4 电介质中的电场

2.4.1 电介质中的高斯定理

微分形式

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积分形式

SDS=q\oint\limits_S\vec D\cdot\vec S=q
D\vec D的源是自由电荷
  • (但是这并不意味着D的分布和电介质无关)
  • E的源即是自由电荷,也是束缚电荷
SES=q+q0ε0\oint\limits_S\vec E\cdot \vec S=\frac {q+q_0} {\varepsilon_0}E=ρ+ρPε0\nabla\cdot\vec E=\frac{\rho+\rho_P}{\varepsilon_0}

2.4.2 介电常数 ε\varepsilon与击穿场强

介电常数

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ε=ε0(1+χe)\varepsilon=\varepsilon_0(1+\chi_e)
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电介质的击穿场强 EjE_j

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2.4.3 不同媒质界面上的边界条件

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  • 切向分量
  • 法向分量

两种不同介质分界面上的边界条件

  1. E的衔接条件
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E1t=E2tE_{1t}=E_{2t}
  1. D的衔接条件
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D2nD1n=σD_{2n}-D_{1n}=\sigma
思考:为什么E不能用第二种推导?
因为这样会得到 E2nE1n=q/ε0E_{2n}-E_{1n}=q/\varepsilon_0,而这里的q包括了自由电荷和极化电荷;界面交界处极化电荷一般不为零👉 E1nE2nE_{1n}\ne E_{2n}
思考:为什么D不能用第一种推导?
因为D不是无旋场,不存在环路积分等于零
  1. 总结以上两条规律,得到静电场的折射定律
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      也就是:
tanα1tanα2=ε1ε2\frac{\tan{\alpha_1}}{\tan{\alpha_2}}=\frac{\varepsilon_1}{\varepsilon_2}
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导体与电介质交界面上的边界条件

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实际上,上面的推导仍然成立;只是介质不同改变了电荷分布。
导体表面电场强度垂直于导体表面,水平分量为零:
E1t=E2t=0E_{1t}=E_{2t}=0
由此, D1=εrE1=0D_1=\varepsilon_r\cdot E_1=0
静电场中导体表面会有电荷分布(静电屏蔽):
D2nD1n=D2n=σD_{2n}-D_{1n}=D_{2n}=\sigma

由电位函数 ψ\psi表示的电介质分界面上的边界条件

  1. 电位连续(这是显然的)
ψ1=ψ2\psi_1=\psi_2
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  1. 方向导数的关系:
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由电位函数 ψ\psi表示的导体-电介质分界面上的边界条件

  1. 电位连续且相等(这还是显然的)
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  1. 方向导数关系
D2n=ψ2n=σD_{2n}=\frac{\partial\psi_2}{\partial \vec n}=\sigma
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不同媒质交界电场问题的分析

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2.5 边值问题

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范定方程——电位函数满足的偏微分方程

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定解条件——边界条件

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边值问题的求解

边值问题=泛定方程+定解条件
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边值问题的解析求解方法

直接积分法

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浙江大学电气工程学院本科生
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