3.3.1场效应管的结构、特点及参数
- 电压控制电流型器件。
- 单极型晶体管，参与导电的是多数载流子
- 根据结构和制造工艺的不同，分为两大类：
绝缘栅场效应管（MOS-FET）
结构、类型与电路符号
电路符号
N沟道晶体管
E-NMOS-FET/N沟道增强型绝缘栅型场效应管
了解原理才比较方便记住后面的伏安特性！
- 转移特性
假定场效应管工作在截止区和放大区
开启电压，可以看到这个表达式和 无关（前提是工作在恒流区），结合下面的输出特性不难看出原因
当 时，
- 输出特性
输出特性可以分为三个工作区
- 可变电阻区
需要满足的条件是：
沟道没有预夹断，沟道较宽，可以用一个体电阻等效
显然的，UGS越大，沟道越宽，可变电阻越小，越接近于理想开关闭合的状态
- 放大区（恒流区，饱和区）
工作条件：
- 夹断区
导电沟道消失，整个沟道被夹断，FET工作在截止状态
D-NMOS-FET/N沟道耗尽型型绝缘栅型场效应管
简单来说，整个曲线往左边平移了，其它和增强型没有区别
从电路符号也可以看出来，源极、栅极、漏极是联通在一起的
定义使导电沟道消失所需的栅源电压 为夹断电压，记作
转移特性曲线方程相应的变为：
其中， 称为饱和漏极电流（实际上是零栅压漏极电流？）
J-NMOS-FET/N沟道结型场效应管
和耗尽型相比，它只工作在 的部分
P沟道场效应晶体管
也有3种类型，和N沟道完全对偶的，只是UGS、UDS的极性以及iD的方向均和N沟道晶体管相反
ㅤ | 增强型 | 增强型 | 耗尽型 | 耗尽型 | 耗尽型 | 耗尽型 |
ㅤ | NMOS | PMOS | N结型 | P结型 | NMOS | PMOS |
栅源电压VGS | 正 | 负 | 负 | 正 | 负（正） | 正（负） |
漏源电压VDS | 正 | 负 | 正 | 负 | 正 | 负 |
记忆方法：
从原理的角度去理解N增强型；N耗尽型是N增强型向左平移；N结型类似于N耗尽型，不过只能工作在第二象限
P型对偶的器件全部取反
FET主要参数
直流参数
- 开启电压
- 夹断电压
- 饱和漏极电流
- 直流输入电阻
很大， ，也就是说栅极不导电
交流参数
- 跨导（互导）
地位近似于三极管中的 ，是一个动态指标，其实就是想研究uGS的变化所引起的iD的变化
从图像中可以看出来，变化肯定不均匀的；UGS越大，iD变化越快
求导开可以得到：
其中， 是静态工作点的电流
- 交流输出电阻
动态指标，体现了放大区（恒流区）的恒流特性是否足够好
恒流区足够理想，那么 应该无穷大
极限参数
- 最大漏-源电压
- 最大栅-源电压
- 最大耗散功率
3.2 场效应管放大电路
作为控制器件而言，场效应管是电压控制器件，电压驱动的、栅极电流几乎为零，所以驱动功率很低；
但是作为开关，开关闭合之后二极管的特性更好；
IGBT结合了两者的有点，是控制系统硬件的核心
FET的直流偏置和静态工作点的计算
FET偏置电路
自给栅偏压电路（自偏压电路）
很容易说明，这种电路是不可能截止的
分压式自偏压拓扑
“完美”的拓扑，只要选取合适的电阻参数，6种晶体管放进去都可以用（甚至三极管也可以用）
老师讲的很好！来龙去脉讲清楚了
可惜没法记下来……有时间下去推导
静态工作点的计算
图解法求静态工作点
估算法求静态工作点
例题
