3.2.1 半导体三极管的结构、特性与参数
三极管结构与工作原理
结构与类型：
- NPN 、PNP两种
- 从材料组成：
- 硅三极管（NPN）
- 锗三极管（PNP）
NPN型
外加的偏置条件应该使得器件可以正常工作，内部形成正常回路
PNP型
三极管的基本工作原理
- 工作时两个PN结的条件
倒置工作状态暂时不用管，只需要掌握放大、饱和、截止
- 三极管放大工作状态时的三种基本连接
- 三种组态的实际连接
放大状态下各电极电流之间的关系
直流电流放大倍数：
其中， 为穿透电流。也就是说IB=0时，IC等于一个很小的穿透电流，工程上认为认为近似于零
三极管的伏安特性曲线
NPN输入特性曲线（与二极管的正向特性类似）
很容易理解，iB和vBE实际上就是一个PN结的关系
不过VCE不同的时候，曲线间的差异是很小的
NPN输出特性
- 截止区
iB=0，发射结反偏，工作在截止区，集电极电流近似于零
CE间电压=Vcc
将这个非线性器件用右侧的模型来替代，认为时开关打开
- 饱和区
，
Vce<0.7，认为近似等于0.3； 
工作在饱和状态相当于一个合上的开关，和实际的机械开关一样（接触电阻），在开关处会有一定损耗，我们认为等于0.3V
- 放大区
判断三极管工作状态；套用模型；用电路的知识求解
理解整个变化的过程，基极注入的电流不断增加
- ，截止区
- iB增大，但是小于临界饱和电流IBS，处在放大状态
此时发射结正偏导通，VBE=0.7；集电结反偏，VCE大于0.7，但是随着集电极注入的电流增大VCE减小
- iB增大到一定程度，VCE<0.7，此时：vB>vC,集电结变成正偏，工作在饱和区
PNP
特性基本相反，略去
三极管主要参数
对于第三点，有三个方面的性质
- 电流不能太大
- 电压不能太大（击穿）
- 功率不能太大（或者说在三极管上损耗的功率不能太大）
3.2.2 三极管放大电路的组成
放大电路的组成与各元件的作用
- 保证发射结必须正偏，集电结必须反偏
- 耦合电容
a是静态的电路，b更接近实际工作的电路
电压传输特性与静态工作点
单管放大电路的图解法
- 先求出
注意，直线与横轴的交点就是 ，与纵轴的交点就是
实际解题中，如果发射结正偏，一般就认为VBE=0.7V
- 求出 ，之后，求
例题
总体思路就是先假设，根据假设演绎，然后判断假设是否正确
例题
注意：发射极添加的电阻是希望减小温度的影响，希望工作点在不同温度下保持稳定
三极管放大电路静态工作点的设置
合适的静态工作点；工作点保持稳定的能力
单电源固定偏置方式
这样的一种拓扑下，由于受到温度的影响，β随温度变化，静态工作点实际上是不稳定的
工作点稳定的偏置电路
加上 ，实际上起到了稳定静态工作点的作用（分析β增大时电路的动态过程，并和单电源固定偏置比较
估算的条件：
Rb1,Rb2,Re数量级相当的时候，可以利用上述估算
估算的时候一定要知道误差在哪里
